TIN TỨC & SỰ KIỆN
PCM bộ nhớ nhanh gấp 70 lần ổ SSD

Theo đó, loại bộ nhớ PCM (Phase Change Memory) có khả năng chứa 3 bit trong 1 cell, với tốc độ và giá thành đủ để thay thế cho bộ nhớ flash, DigitalTrends cho biết.

Đột phá mới có tên PCM, viết tắt của cụm từ "phase-change memory" (bộ nhớ thay đổi theo pha), sẽ rất hữu ích trong lĩnh vực máy tính và điện thoại di động.

ibm-pcm-1-3351-1463905824.jpg

Công nghệ đột phá mà IBM vừa công bố sẽ giúp ngành công nghệ có bước tiến lớn. Ảnh: Gizmag.

Tốc độ của PCM được đánh giá là nằm giữa DRAM và bộ nhớ dạng flash. Bộ nhớ PCM nhanh hơn flash tới 70 lần. Do vậy có thể đem lại hiệu năng ấn tượng hơn cho máy tính trong tương lai.

Không dừng lại ở đó, PCM còn có nhiều tiềm năng ứng dụng khác. Và một trong những ứng dụng quan trọng là đặt cả cơ sở dữ liệu vào trong PCM. Điều đó có nghĩa các ứng dụng cần truy xuất một lượng lớn dữ liệu sẽ được đáp ứng tức thời với tốc độ nhanh hơn nhiều so với yêu cầu đặt ra.

Trước đây, IBM có thể lưu trữ 1 bit dữ liệu trên mỗi phần vùng bộ nhớ (cell). Nhưng nay, đột phá mới có thể cho phép lưu trữ tới 3 bit dữ liệu.

Tiềm năng ứng dụng PCM là rất khả thi do chi phí chỉ ngang với bộ nhớ flash nhưng tốc độ lại cao hơn tới 70 lần. Còn so với DRAM, PCM tiết kiệm chi phí hơn rất nhiều.

"Bộ nhớ thay đổi theo pha là thành công bước đầu trong việc tổng hợp thuộc tính của cả DRAM và flash, giúp đáp ứng những thách thức lớn của ngành công nghiệp điện toán", tiến sĩ Haris Pozidis của IBM Research chia sẻ.

IBM cho biết công nghệ PCM sẽ sẵn sàng vào đầu năm tới nếu mọi thứ vận hành theo đúng kế hoạch. Điều này hứa hẹn sẽ tạo ra những đột phá lớn cho ngành điện toán và di động đang phát triển rất nhanh hiện nay.

Bên cạnh đó, tốc độ của DRAM vẫn nhanh hơn PCM từ 5-10 lần, nhưng với loại bộ nhớ 3 bit mới thì giá thành của PCM trong tương lai có thể xuống thấp gần tới mức giá của flash và thấp hơn nhiều so với DRAM. Một lợi thế khác của PCM là nó có thể lưu dữ liệu mà không cần cấp điện liên tục như DRAM.

PCM là công nghệ sử dụng chất liệu quang để lưu trạng thái của ổ nhớ (cell). Chất liệu này có thể tồn tại dưới 2 trạng thái (pha) là vô định hình (amorphous) và dạng tinh thể (crystalline) tùy thuộc vào trạng thái dòng điện.

Khi ở dạng tinh thể thì chất liệu dẫn điện rất tốt, còn ở dạng vô định hình thì dẫn điện kém hơn. Qua đó, ô nhớ có thể được đặt mức giá trị 0 và 1, tương đương với 1 bit nhớ.